场效应管(MosFET)
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 200V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 72.5mΩ
- Id: 25A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 1.95mΩ
- Id: 260A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 75V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 4.5mΩ
- Id: 170A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 200V
- Vgs: 30V
- RDS(on) Max@10V: 22.0mΩ
- Id: 26A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 75V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 8.5mΩ
- Id: 75A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 36.0mΩ
- Id: 42A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 16V
- RDS(on) Max@10V: 65mΩ
- Id: 11A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 25V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 8.7mΩ
- Id: 57A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 110.0mΩ
- Qg(Typ): 21.3nC
- Rth(JC): 2.2K/W
- Power Dissipation@TC 25C: 57W
- Id@TC 25C: -18A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 12V
- Vgs: 12V
- Id: 84A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 4.5mΩ
- Id: 180A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 75V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 11.2mΩ
- Id: 42A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 20V
- Vgs: 12V
- RDS(on) Max@10V: 0.75mΩ
- Id: 211A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
电气特性 Features
- 集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 2.5mΩ
- Id: 140A
更新于 2025-06-12