场效应管(MosFET)
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 12V
- RDS(on) Max@10V: 8.0mΩ
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 12.4mΩ
- Id: 29A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 16V
- RDS(on) Max@10V: 35.0mΩ
- Id: 27A
电气特性 Features
- 1N-1P双沟道MOS管
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on)@4.5V N-ch: 46.0mΩ
- RDS(on)@4.5V P-ch: 98.0mΩ
- RDS(on)@10V N-ch: 29.0mΩ
- RDS(on)@10V P-ch: 58.0mΩ
- Qg Typ N-ch: 22.0nC
- Qg Typ P-ch: 23.0nC
- Qgd Typ N-ch: 6.4nC
- Qgd Typ P-ch: 5.9nC
- Rth(JA): 50℃/W
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -20V
- Vgs: 12V
- RDS(on) Max@4.5V: -32.0mΩ
- Qg(Typ): 12.0nC
- Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 60V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 11.0mΩ
- Id: 67A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 200V
- Vgs: 30V
- RDS(on) Max@10V: 55.0mΩ
- Id: 42.6A
电气特性 Features
- 集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -20V
- Vgs: 12V
- RDS(on) Max@4.5V: 270.0mΩ
- Qg(Typ): 5.4nC
- Rth(JC): 100 (JA)K/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 75V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 8.4mΩ
- Id: 76A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 4.8mΩ
- Id: 92A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 16V
- RDS(on) Max@10V: 105mΩ
- Id: 9.5A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 250V
- Vgs: 30V
- RDS(on) Max@10V: 46.0mΩ
- Id: 46A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 8.4mΩ
- Id: 65A
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs(Max): 20V
- Rth(JA): 55℃/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 60V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 2.1mΩ
- Id: 293A
更新于 2026-08-02