场效应管(MosFET)
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 16V
- RDS(on) Max@10V: 3.9mΩ
- Id: 190A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 75V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 5.9mΩ
- Id: 100A
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 11.3mΩ
- Rth(JA): 56℃/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 12V
- RDS(on) Max@10V: 8.0mΩ
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 25V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 2.7mΩ
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 150V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 42.0mΩ
- Id: 33A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 300V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 32.0mΩ
- Id: 70A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 5.6mΩ
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 20V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 4.2mΩ
- Id: 120A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 40V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 3.7mΩ
- Id: 190A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 200V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 150.0mΩ
- Id: 18A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 165.0mΩ
- RDS(on) Max@4.5V: 270.0mΩ
- Qg(Typ): 2.0nC
- Rth(JC): 100 (JA)K/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 20V
- Vgs: 12V
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vgs(Max): 20V
- Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 200V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 99.9mΩ
- Id: 20A
更新于 2025-06-10