场效应管(MosFET)
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 20V
- Vgs(Max): 12V
- RDS(on) Max@4.5V: 4.9mΩ
- Rth(JA): 72℃/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 60V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 15.8mΩ
- Id: 43A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 16V
- RDS(on) Max@10V: 44.0mΩ
- Id: 36A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 11.0mΩ
- Id: 84A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 165.0mΩ
- RDS(on) Max@4.5V: 270.0mΩ
- Qg(Typ): 2.0nC
- Rth(JC): 100 (JA)K/W
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 175.0mΩ
- Qg(Typ): 12.7nC
- Rth(JC): 3.3K/W
- Power Dissipation@TC 25C: 45W
- Id@TC 25C: -12A
电气特性 Features
- 集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -40V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 112.0mΩ
- RDS(on) Max@4.5V: 190.0mΩ
- Qg(Typ): 25.0nC
- Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 75V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 4.5mΩ
- Id: 209A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 200V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 55.0mΩ
- Id: 43A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 11.0mΩ
- Id: 61A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 5.3mΩ
- Id: 131A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 7.1mΩ
- Id: 42A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 110.0mΩ
- Qg(Typ): 21.3nC
- Rth(JC): 2.2K/W
- Power Dissipation@TC 25C: 57W
- Id@TC 25C: -18A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 30V
- RDS(on) Max@10V: 9.0mΩ
- Id: 141A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 7.3mΩ
- Id: 60A
更新于 2025-09-17