场效应管(MosFET)
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 60V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 5.1mΩ
- Id: 110A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 17.5mΩ
- Id: 35A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 12.8mΩ
- Id: 35A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 25V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 13.0mΩ
- Id: 21A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 20V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 2.7mΩ
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 40V
- Vgs: 16V
- RDS(on) Max@10V: 6.5mΩ
- Id: 110A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 40V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 9.0mΩ
- Id: 100A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 20V
- Vgs: 12V
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 40V
- Vgs: 16V
- RDS(on) Max@10V: 3.1mΩ
- Id: 200A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 4.9mΩ
- Id: 83A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -20V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 86.0mΩ
- Qg(Typ): 8.3nC
- Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
- Power Dissipation@TC 25C: 2.0W
- Id@TC 25C: -4.0A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 6.0mΩ
- Id: 105A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 3.8mΩ
- Id: 40A
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 11.3mΩ
- Rth(JA): 56℃/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 20V
- Vgs: 12V
更新于 2026-09-28