场效应管(MosFET)
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 6.5mΩ
- Id: 86A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 16V
- RDS(on) Max@10V: 105.0mΩ
- Id: 15A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -20V
- Vgs: 12V
- RDS(on) Max@4.5V: 40.0mΩ
- Qg(Typ): 32.7nC
- Rth(JC): 50 (JA)K/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 60V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 4.8mΩ
- Id: 110A
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 12V
- Vgs(Max): 12V
- RDS(on) Max@4.5V: 15mΩ
- Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 40V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 1.6mΩ
- Id: 317A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -30V
- Vgs: 25V
- RDS(on) Max@10V: 17.5mΩ
- Qg(Typ): 14.0nC
- Rth(JC): 50 (JA)K/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 5.3mΩ
- Id: 160A
电气特性 Features
- 双N沟道带肖特基的MOS管
- Vbrdss: 25V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 1.1mΩ
- Rth(JA): 35 (Q2)℃/W
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 11.9mΩ
- RDS(on) Max@4.5V: 19.7mΩ
- Qg(Typ): 18.0nC
- Rth(JC): 50 (JA)K/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 75V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 6.3mΩ
- Id: 130A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 20V
- Vgs: 12V
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 200V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 300.0mΩ
- Id: 9.5A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 52.0mΩ
- Id: 27A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -30V
- Vgs: 25V
- RDS(on) Max@10V: 14.6mΩ
- RDS(on) Max@4.5V: 22.5mΩ
- Qg(Typ): 32.0nC
- Rth(JC): 3.8K/W
- Power Dissipation@TC 25C: 33W
- Id@TC 25C: -38A
更新于 2026-06-24