N沟道场效应管

IRFS3107

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.0mΩ
  • Id: 230A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS3306

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.2mΩ
  • Id: 160A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRLL024N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 65.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-06-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRF1018ESL

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.4mΩ
  • Id: 79A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-07 Tag标签:N沟道场效应管

MMBFJ309LT1G

MMBFJ309LT1G

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Gate Source Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-06-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS7434

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.6mΩ
  • Id: 320A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6721S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.3mΩ
  • Id: 60A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-07 Tag标签:N沟道场效应管

PMBFJ111,215

PMBFJ111,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:40 V
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:-40 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-06-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB3077

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.3mΩ
  • Id: 210A
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BFR30,235

BFR30,235

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Continuous Drain Current:10 mA
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:-25 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
N沟道场效应管 更新于 2026-06-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRLB8743

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.2mΩ
  • Id: 150A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRFZ44ZS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 13.9mΩ
  • Id: 51A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-07 Tag标签:N沟道场效应管

2SK209-Y(TE85L,F)

2SK209-Y(TE85L,F)

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Continuous Drain Current:3 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-50 V
Operating Temperature:-55 to 125 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
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ATF-54143-TR1G

ATF-54143-TR1G

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5 V
Maximum Continuous Drain Current:120 mA
Maximum Gate Source Voltage:1 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 to 1 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
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IRF3710S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 23.0mΩ
  • Id: 57A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-07 Tag标签:N沟道场效应管