N沟道场效应管

2SK3666-4-TB-E

2SK3666-4-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:10 mA
Maximum Gate Source Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-26 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-33143-TR2G

ATF-33143-TR2G

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5.5 V
Maximum Continuous Drain Current:305 mA
Maximum Gate Source Voltage:-5 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 V
Operating Temperature:-65 to 160 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-26 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3007

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 12.6mΩ
  • Id: 80A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-26 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7580M

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.6mΩ
  • Id: 116A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-26 Tag标签:N沟道场效应管

IRFI1310N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 36.0mΩ
  • Id: 22A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-26 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6810S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 5.2mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-12-26 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3205ZL

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.5mΩ
  • Id: 110A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-26 Tag标签:N沟道场效应管

IRFZ44EL

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 23.0mΩ
  • Id: 48A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-26 Tag标签:N沟道场效应管

IRLR3717

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.2mΩ
  • Id: 120A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-26 Tag标签:N沟道场效应管

2SK3666-3-TB-E

2SK3666-3-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:10 mA
Maximum Gate Source Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-26 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3709S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.0mΩ
  • Id: 90A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-26 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR3710Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 18.0mΩ
  • Id: 56A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-26 Tag标签:N沟道场效应管

MMBF4392LT1G

MMBF4392LT1G

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-26 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7468

IRF7468

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@10V: 15.5mΩ
  • Id: 9.0A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-26 Tag标签:N沟道场效应管

IRFSL7530

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.0mΩ
  • Id: 295A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-26 Tag标签:N沟道场效应管