N沟道场效应管

IRFH7194

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 16.4mΩ
  • Id: 35A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-21 Tag标签:N沟道场效应管

BSR56

BSR56

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-21 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7601

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 12V
N沟道场效应管 更新于 2025-09-21 Tag标签:N沟道场效应管

IRLR3105

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 37.0mΩ
  • Id: 25A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-21 Tag标签:N沟道场效应管

IRFZ44ES

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 23.0mΩ
  • Id: 48A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-21 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR7540

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.8mΩ
  • Id: 110A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-21 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP1405

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.3mΩ
  • Id: 160A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-21 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH7110

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 13.5mΩ
  • Id: 58A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-21 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH8311

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.1mΩ
  • Id: 169A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-21 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS59N10D

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 25.0mΩ
  • Id: 59A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-21 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP250M

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 75.0mΩ
  • Id: 30A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-21 Tag标签:N沟道场效应管

MMBFJ310LT1G

MMBFJ310LT1G

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Gate Source Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-21 Tag标签:N沟道场效应管

BF556A,215

BF556A,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:7 mA
Maximum Gate Source Voltage:-30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-21 Tag标签:N沟道场效应管

IRFSL3006

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.5mΩ
  • Id: 270A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-21 Tag标签:N沟道场效应管

IRFSL7537

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.3mΩ
  • Id: 173A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-21 Tag标签:N沟道场效应管