N沟道场效应管

IRF6716M

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.6mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-09-20 Tag标签:N沟道场效应管

IRLB8748

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.8mΩ
  • Id: 92A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-20 Tag标签:N沟道场效应管

CLF1G0060-30U

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:150(Min) V
Maximum Gate Source Voltage:3 V
Operating Temperature:-65 to 250 ℃
Mounting:Screw
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-20 Tag标签:N沟道场效应管

MMBFJ202

MMBFJ202

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-20 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR3708

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@10V: 12.5mΩ
  • Id: 61A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-20 Tag标签:N沟道场效应管

IRL3705NS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 10.0mΩ
  • Id: 89A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-20 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB5620

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 72.5mΩ
  • Id: 25A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-20 Tag标签:N沟道场效应管

CLF1G0035S-100PU

电气特性 Features

Configuration:Dual Common Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:150(Min) V
Maximum Gate Source Voltage:3 V
Operating Temperature:-65 to 250 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-20 Tag标签:N沟道场效应管

IRLS3813

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.95mΩ
  • Id: 247A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-20 Tag标签:N沟道场效应管

PMBFJ111,215

PMBFJ111,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:40 V
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:-40 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-20 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS7762

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.7mΩ
  • Id: 85A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-20 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7403

IRF7403

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 22.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-09-20 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP4321

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 15.5mΩ
  • Id: 78A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-20 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB7446

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.3mΩ
  • Id: 123A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-20 Tag标签:N沟道场效应管

2SK3666-3-TB-E

2SK3666-3-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:10 mA
Maximum Gate Source Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-20 Tag标签:N沟道场效应管