双N-双P沟道MOS管
电气特性 Features
- 1N-1P双沟道MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on)@4.5V N-ch: 65.0mΩ
- RDS(on)@4.5V P-ch: 170.0mΩ
- RDS(on)@10V N-ch: 50.0mΩ
- RDS(on)@10V P-ch: 105.0mΩ
- Qg Typ N-ch: 24.0nC
- Qg Typ P-ch: 26.0nC
- Qgd Typ N-ch: 7.0nC
- Qgd Typ P-ch: 8.4nC
- Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- 双P沟道MOS管
- Vbrdss: -20V
- Vgs(Max): 12V
- RDS(on) Max@4.5V: 18mΩ
- Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- 1N-1P双沟道MOS管
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on)@4.5V N-ch: 46.0mΩ
- RDS(on)@4.5V P-ch: 98.0mΩ
- RDS(on)@10V N-ch: 29.0mΩ
- RDS(on)@10V P-ch: 58.0mΩ
- Qg Typ N-ch: 22.0nC
- Qg Typ P-ch: 23.0nC
- Qgd Typ N-ch: 6.4nC
- Qgd Typ P-ch: 5.9nC
- Rth(JA): 50℃/W
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 200mΩ
- Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs(Max): 20V
- Rth(JA): 55℃/W
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 200V
- Vgs(Max): 20V
- Rth(JA): 65℃/W
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 18.7mΩ
- Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- 双P沟道MOS管
- Vbrdss: -30V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 400mΩ
- Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- 双P沟道MOS管
- Vbrdss: -30V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 23.8mΩ
- Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 20V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 11.3m?Ω
- Rth(JA): 62.5(JA)℃/W
电气特性 Features
- 双P沟道MOS管
- Vbrdss: -30V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 32mΩ
- Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vgs(Max): 20V
- Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs(Max): 20V
- Rth(JA): 65℃/W
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 65mΩ
- Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- 双N沟道带肖特基的MOS管
- Vbrdss: 25V
- Vgs(Max): 16V
- RDS(on) Max@4.5V: 1.0mΩ
- Rth(JA): 24℃/W
更新于 2025-11-06