场效应管(MosFET)
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 22.0mΩ
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 4.5mΩ
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 40V
- Vgs: 16V
- RDS(on) Max@10V: 6.5mΩ
- Id: 130A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 60V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 2.4mΩ
- Id: 195A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 65.0mΩ
- Qg(Typ): 42.0nC
- Rth(JC): 1.4K/W
- Power Dissipation@TC 25C: 89W
- Id@TC 25C: -28A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 60V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 5.9mΩ
- Id: 95A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 600.0mΩ
- RDS(on) Max@4.5V: 1000.0mΩ
- Qg(Typ): 3.4nC
- Rth(JC): 230 (JA)K/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 60V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 8.4mΩ
- Id: 79A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 8.6mΩ
- Id: 97A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 98.0m?
- RDS(on) Max@4.5V: 165.0mΩ
- Qg(Typ): 9.5nC
- Rth(JC): 100 (JA)K/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 16V
- RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
- Id: 18A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 39.0mΩ
- Id: 31A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 40V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 4.0mΩ
- Id: 160A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 7.2m?
- RDS(on) Max@4.5V: 11.2mΩ
- Qg(Typ): 34.0nC
- Rth(JC): 50 (JA)K/W
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -150V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 290.0mΩ
- Qg(Typ): 44.0nC
- Rth(JC): 1.4K/W
- Power Dissipation@TC 25C: 110W
- Id@TC 25C: -13A
更新于 2026-09-28