N沟道场效应管

IRFZ44VZS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 12.0mΩ
  • Id: 57A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

MMBFJ310LT1G

MMBFJ310LT1G

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Gate Source Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

J113

J113

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-35 V
Maximum Drain Gate Voltage:35 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRLMS1503

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 100.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR4104

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.5mΩ
  • Id: 119A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRFL4315

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 185.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRL530N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 100.0mΩ
  • Id: 17A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

CLF1G0060S-30U

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:150(Min) V
Maximum Gate Source Voltage:3 V
Operating Temperature:-55 to 250 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

PMBFJ110,215

PMBFJ110,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:-25 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH7004

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.4mΩ
  • Id: 259A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

2SK932-23-TB-E

2SK932-23-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:15 V
Maximum Continuous Drain Current:50 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-15 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6716M

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.6mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

CPH3910-TL-E

CPH3910-TL-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Continuous Drain Current:50 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7805PBF-1

IRF7805PBF-1

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 12V
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3007

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 12.6mΩ
  • Id: 80A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管