N沟道场效应管

3SK264-5-TG-E

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Gate
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:15 V
Maximum Continuous Drain Current:30 mA
Maximum Gate Source Voltage:8 V
Operating Temperature:-55 to 125 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-06-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS31N20D

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 82.0mΩ
  • Id: 31A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-07 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-331M4-TR1

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5.5 V
Maximum Continuous Drain Current:305 mA
Maximum Gate Source Voltage:-5 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 V
Operating Temperature:-65 to 160 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-06-07 Tag标签:N沟道场效应管

BF511,215

BF511,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:20 V
Maximum Continuous Drain Current:30 mA
Maximum Drain Gate Voltage:20 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-06-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRFU3607

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9mΩ
  • Id: 56A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRFU3709Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.5mΩ
  • Id: 61A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6631

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.8mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-06-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH7004

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.4mΩ
  • Id: 259A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH3707

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 12.4mΩ
  • Id: 29A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRFSL4010

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.7mΩ
  • Id: 180A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRF2804S-7P

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.6mΩ
  • Id: 320A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR9N20D

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 380.0mΩ
  • Id: 9.4A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH7914

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.7mΩ
  • Id: 35A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7455PBF-1

IRF7455PBF-1

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@10V: 7.5mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-06-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP2907Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.5mΩ
  • Id: 170A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-07 Tag标签:N沟道场效应管