N沟道场效应管

IRLZ24N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
  • Id: 18A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRF1010ES

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 12.0mΩ
  • Id: 83A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRFZ46NS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 16.5mΩ
  • Id: 53A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

2N4119A-E3

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:-40 V
Operating Temperature:-55 to 175 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6648

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.0mΩ
  • Id: 86A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

BF861B,235

BF861B,235

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Gate Source Voltage:25 V
Maximum Drain Gate Voltage:25 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6775M

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 56.0mΩ
  • Id: 28A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRLB8743

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.2mΩ
  • Id: 150A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB38N20D

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 54.0mΩ
  • Id: 44A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-35143-TR2G

ATF-35143-TR2G

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5.5 V
Maximum Continuous Drain Current:80 mA
Maximum Gate Source Voltage:-5 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 V
Operating Temperature:-65 to 160 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRLR6225

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 12V
  • Id: 100A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6715M

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.6mΩ
  • Id: 180A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6635

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.8mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB7434

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.6mΩ
  • Id: 317A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

2SK932-22-TB-E

2SK932-22-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:15 V
Maximum Continuous Drain Current:50 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-15 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管