N沟道场效应管

BSR57

BSR57

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH7185

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.2mΩ
  • Id: 123A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRFSL7530

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.0mΩ
  • Id: 295A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRLML6344

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 12V
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

MMBFJ310LT3G

MMBFJ310LT3G

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Gate Source Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRLZ24N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
  • Id: 18A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRF1018ES

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.4mΩ
  • Id: 79A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB4110

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.5mΩ
  • Id: 180A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-55143-TR2G

ATF-55143-TR2G

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5 V
Maximum Continuous Drain Current:100 mA
Maximum Gate Source Voltage:1 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 to 1 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6714M

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.1mΩ
  • Id: 166A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

CLF1G0035S-50,112

CLF1G0035S-50,112

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:150(Min) V
Maximum Gate Source Voltage:3 V
Operating Temperature:-65 to 250 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRLS3034

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.7mΩ
  • Id: 343A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

BFR30,235

BFR30,235

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Continuous Drain Current:10 mA
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:-25 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRL3705ZS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 8.0mΩ
  • Id: 86A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR24N15D

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 95.0mΩ
  • Id: 24A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管