N沟道场效应管

IRL520NS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 180.0mΩ
  • Id: 10A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH5204

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.3mΩ
  • Id: 100A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRFU7440

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.4mΩ
  • Id: 125A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRFU3607

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9mΩ
  • Id: 56A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRF640NS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 150.0mΩ
  • Id: 18A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRFU024N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 75mΩ
  • Id: 10A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

MMBF4391LT1G

MMBF4391LT1G

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRF4104

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.5mΩ
  • Id: 120A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-54143-TR1G

ATF-54143-TR1G

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5 V
Maximum Continuous Drain Current:120 mA
Maximum Gate Source Voltage:1 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 to 1 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

BSR56,215

BSR56,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:40 V
Maximum Continuous Drain Current:50 mA
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRFHS8242

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 13.0mΩ
  • Id: 21A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

BFR30,235

BFR30,235

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Continuous Drain Current:10 mA
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:-25 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS7534-7P

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.95mΩ
  • Id: 240A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6893M

电气特性 Features

  • 集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 1.6mΩ
  • Id: 168A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7490

IRF7490

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 39.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管