N沟道场效应管

IRFU3607

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9mΩ
  • Id: 56A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

IRFSL3806

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 15.8mΩ
  • Id: 43A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

IRF2807Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.4mΩ
  • Id: 89A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-35143-TR2G

ATF-35143-TR2G

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5.5 V
Maximum Continuous Drain Current:80 mA
Maximum Gate Source Voltage:-5 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 V
Operating Temperature:-65 to 160 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-551M4-TR2

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5 V
Maximum Continuous Drain Current:100 mA
Maximum Gate Source Voltage:1 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 to 1 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

IRF1324S-7P

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 24V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.0mΩ
  • Id: 429A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-54143-BLKG

ATF-54143-BLKG

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5 V
Maximum Continuous Drain Current:120 mA
Maximum Gate Source Voltage:1 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 to 1 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

IRFSL3004

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.75mΩ
  • Id: 340A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

IRFIB41N15D

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 45.0mΩ
  • Id: 41A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

IRL2910S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 26.0mΩ
  • Id: 55A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

J105

J105

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

IRFSL4115

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 12.1mΩ
  • Id: 99A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

IRF1010ZS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.5mΩ
  • Id: 94A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP2907

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.5mΩ
  • Id: 209A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS3107

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.0mΩ
  • Id: 230A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管