N沟道场效应管

MMBFJ310LT3G

MMBFJ310LT3G

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Gate Source Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRLR120N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 185.0mΩ
  • Id: 11A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRLML2060

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 480.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

2SK208-GR(TE85L,F)

2SK208-GR(TE85L,F)

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Continuous Drain Current:6.5 mA
Maximum Drain Gate Voltage:50 V
Operating Temperature:-55 to 125 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRLR2905Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 13.5mΩ
  • Id: 60A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRFSL7437

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.8mΩ
  • Id: 250A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRLB8748

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.8mΩ
  • Id: 92A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRFU13N20D

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 235mΩ
  • Id: 9.5A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

PMBFJ111,215

PMBFJ111,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:40 V
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:-40 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS4510

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 13.9mΩ
  • Id: 61A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH5015

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 31.0mΩ
  • Id: 56A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7473PBF-1

IRF7473PBF-1

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 26.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7831PBF-1

IRF7831PBF-1

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@10V: 3.6mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

PMBFJ110,215

PMBFJ110,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:-25 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-541M4-TR1

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5 V
Maximum Continuous Drain Current:120 mA
Maximum Gate Source Voltage:1 V
Maximum Drain Gate Voltage:5 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管