N沟道场效应管

J112_D74Z

J112_D74Z

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-35 V
Maximum Drain Gate Voltage:35 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH4209D

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.1mΩ
  • Id: 260A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH7932

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.3mΩ
  • Id: 104A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

IRFU3607

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9mΩ
  • Id: 56A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH8324

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.1mΩ
  • Id: 90A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7171M

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.5mΩ
  • Id: 93A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

MMBFJ113

MMBFJ113

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-35 V
Maximum Drain Gate Voltage:35 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

IRF2807Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.4mΩ
  • Id: 89A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

2SK389BL

电气特性 Features

Configuration:Dual
Channel Type:N
Maximum Drain Gate Voltage:-50 V
Operating Temperature:-55 to 125 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

2SK545-11D-TB-E

2SK545-11D-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:40 V
Maximum Continuous Drain Current:1 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-40 V
Operating Temperature:-55 to 125 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

IRFZ34NS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 40.0mΩ
  • Id: 29A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH7934

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.5mΩ
  • Id: 76A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

IRL520N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 180.0mΩ
  • Id: 10A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

J113

J113

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-35 V
Maximum Drain Gate Voltage:35 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

IRF8302M

电气特性 Features

  • 集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.8mΩ
  • Id: 190A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管