N沟道场效应管

BLF644PU

电气特性 Features

Configuration:Dual Common Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:65 V
Maximum Gate Source Voltage:11 V
Operating Temperature:-65 to 200 ℃
Mounting:Screw
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6711S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.8mΩ
  • Id: 84A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

2SK596S-A

2SK596S-A

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Continuous Drain Current:1 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-20 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP4710

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 14.0mΩ
  • Id: 72A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRLHS6242

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 12V
  • Id: 22A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP260N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 40.0mΩ
  • Id: 49A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

2SK715V-AC

2SK715V-AC

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:15 V
Maximum Continuous Drain Current:50 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-15 V
Operating Temperature:-55 to 125 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB7746

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 10.6mΩ
  • Id: 59A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6636

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.5mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB4410Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.0mΩ
  • Id: 97A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

BSR58

BSR58

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRFU3709Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.5mΩ
  • Id: 61A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH8307

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.3mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-541M4-TR2

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5 V
Maximum Continuous Drain Current:120 mA
Maximum Gate Source Voltage:1 V
Maximum Drain Gate Voltage:5 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7807VD1

IRF7807VD1

电气特性 Features

  • 集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管