N沟道场效应管

IRFSL3206

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.0mΩ
  • Id: 210A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH5110

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 12.4mΩ
  • Id: 63A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-07 Tag标签:N沟道场效应管

2SK389BL

电气特性 Features

Configuration:Dual
Channel Type:N
Maximum Drain Gate Voltage:-50 V
Operating Temperature:-55 to 125 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-06-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRF1404L

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.0mΩ
  • Id: 162A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRFSL4115

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 12.1mΩ
  • Id: 99A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-07 Tag标签:N沟道场效应管

BF862,235

BF862,235

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:20 V
Maximum Continuous Drain Current:40 mA
Maximum Gate Source Voltage:-20 V
Maximum Drain Gate Voltage:20 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
N沟道场效应管 更新于 2026-06-07 Tag标签:N沟道场效应管

MMBF4093

MMBF4093

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-06-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRFBA1405P

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.0mΩ
  • Id: 174A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH5010

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.0mΩ
  • Id: 100A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRLI540N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 44.0mΩ
  • Id: 20A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH5104

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.5mΩ
  • Id: 100A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRLR8256

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.7mΩ
  • Id: 81A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRL1404Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 3.1mΩ
  • Id: 200A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-07 Tag标签:N沟道场效应管

J113

J113

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-35 V
Maximum Drain Gate Voltage:35 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-06-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRFSL3006

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.5mΩ
  • Id: 270A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-07 Tag标签:N沟道场效应管