N沟道场效应管

IRF7451

IRF7451

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 90.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR024N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 75.0mΩ
  • Id: 16A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP250M

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 75.0mΩ
  • Id: 30A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

IRLML2060

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 480.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH5302

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.1mΩ
  • Id: 100A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

IRFZ44ES

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 23.0mΩ
  • Id: 48A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

MMBF5457

MMBF5457

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

IRFPS3810

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 9.0mΩ
  • Id: 141A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

IRLS4030-7P

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 3.9mΩ
  • Id: 190A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

IRFU3910

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 115mΩ
  • Id: 9.5A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS7537

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.3mΩ
  • Id: 173A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS3806

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 15.8mΩ
  • Id: 43A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7749L1

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.5mΩ
  • Id: 200A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB5615

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 39.0mΩ
  • Id: 35A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-551M4-BLK

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5 V
Maximum Continuous Drain Current:100 mA
Maximum Gate Source Voltage:1 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 to 1 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管