N沟道场效应管

IRFH5210

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 14.9mΩ
  • Id: 55A
N沟道场效应管 更新于 2025-11-07 Tag标签:N沟道场效应管

BF256B

BF256B

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-30 V
Maximum Drain Gate Voltage:30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-11-07 Tag标签:N沟道场效应管

BF556A,215

BF556A,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:7 mA
Maximum Gate Source Voltage:-30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-11-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH4209D

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.1mΩ
  • Id: 260A
N沟道场效应管 更新于 2025-11-07 Tag标签:N沟道场效应管

2SK932-24-TB-E

2SK932-24-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:15 V
Maximum Continuous Drain Current:50 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-15 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-11-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7478

IRF7478

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 26.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-11-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH8316

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.95mΩ
  • Id: 120A
N沟道场效应管 更新于 2025-11-07 Tag标签:N沟道场效应管

PMBFJ113,215

PMBFJ113,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:40 V
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:-40 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-11-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7805PBF-1

IRF7805PBF-1

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 12V
N沟道场效应管 更新于 2025-11-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRFHM4234

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.4mΩ
  • Id: 63A
N沟道场效应管 更新于 2025-11-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRLTS6342

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 12V
N沟道场效应管 更新于 2025-11-07 Tag标签:N沟道场效应管

BF862,215

BF862,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:20 V
Maximum Continuous Drain Current:40 mA
Maximum Gate Source Voltage:-20 V
Maximum Drain Gate Voltage:20 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-11-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRFHM830D

电气特性 Features

  • 集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.3mΩ
  • Id: 40A
N沟道场效应管 更新于 2025-11-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRF8788

IRF8788

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.8mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-11-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRF2804L

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.3mΩ
  • Id: 280A
N沟道场效应管 更新于 2025-11-07 Tag标签:N沟道场效应管