N沟道场效应管

MMBFU310LT1G

MMBFU310LT1G

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Gate Source Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-22 Tag标签:N沟道场效应管

2SK596S-B

2SK596S-B

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Continuous Drain Current:1 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-20 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-22 Tag标签:N沟道场效应管

2SK3557-7-TB-E

2SK3557-7-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:15 V
Maximum Continuous Drain Current:50 mA
Maximum Gate Source Voltage:-15 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-22 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB3004

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.75mΩ
  • Id: 340A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-22 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3710S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 23.0mΩ
  • Id: 57A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-22 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6201

IRF6201

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 12V
N沟道场效应管 更新于 2025-12-22 Tag标签:N沟道场效应管

2SK208-Y(TE85R,F)

2SK208-Y(TE85R,F)

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Continuous Drain Current:3 mA
Maximum Drain Gate Voltage:50 V
Operating Temperature:-55 to 125 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-22 Tag标签:N沟道场效应管

MMBF5484

MMBF5484

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-22 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH5104

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.5mΩ
  • Id: 100A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-22 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB3006

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.5mΩ
  • Id: 270A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-22 Tag标签:N沟道场效应管

IRF540NS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 44.0mΩ
  • Id: 33A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-22 Tag标签:N沟道场效应管

IRFSL7440

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.5mΩ
  • Id: 208A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-22 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7811AV

IRF7811AV

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
N沟道场效应管 更新于 2025-12-22 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS31N20D

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 82.0mΩ
  • Id: 31A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-22 Tag标签:N沟道场效应管

IRLU3410

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 105mΩ
  • Id: 9.5A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-22 Tag标签:N沟道场效应管