N沟道场效应管

ATF-541M4-BLK

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5 V
Maximum Continuous Drain Current:120 mA
Maximum Gate Source Voltage:1 V
Maximum Drain Gate Voltage:5 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-06-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB33N15D

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 56.0mΩ
  • Id: 33A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH3702

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.1mΩ
  • Id: 42A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB4410

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 10.0mΩ
  • Id: 96A
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IRFR3708

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@10V: 12.5mΩ
  • Id: 61A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-07 Tag标签:N沟道场效应管

PMBFJ310,215

PMBFJ310,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:-25 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
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J111_D26Z

J111_D26Z

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-35 V
Maximum Drain Gate Voltage:35 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
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IRLML6346

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 12V
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2SK932-23-TB-E

2SK932-23-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:15 V
Maximum Continuous Drain Current:50 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-15 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
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IRFR2405

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 16.0mΩ
  • Id: 56A
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IRF7458

IRF7458

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 9.0mΩ
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IRFU2405

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 16mΩ
  • Id: 40A
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IRFHM8228

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.2mΩ
  • Id: 65A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-07 Tag标签:N沟道场效应管

5HN01C-TB-E

5HN01C-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:50 V
Maximum Continuous Drain Current:100 mA
Maximum Gate Source Voltage:±20 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
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IRF3710ZL

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 18.0mΩ
  • Id: 59A
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