N沟道场效应管

IRLML6246

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 12V
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

BSR56

BSR56

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR9N20D

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 380.0mΩ
  • Id: 9.4A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRFU13N20D

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 235mΩ
  • Id: 9.5A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6795M

电气特性 Features

  • 集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.8mΩ
  • Id: 160A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-38143-TR1G

ATF-38143-TR1G

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:4.5 V
Maximum Continuous Drain Current:145 mA
Maximum Gate Source Voltage:-4 V
Maximum Drain Gate Voltage:-4 V
Operating Temperature:-65 to 160 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR3303

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 31.0mΩ
  • Id: 33A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP250N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 75.0mΩ
  • Id: 30A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

PMBFJ308,215

PMBFJ308,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:-25 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRFML8244

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 24.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRLML2803TRPBF-1

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 250.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRFI4321

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 16.0mΩ
  • Id: 34A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6718L2

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 0.70mΩ
  • Id: 270A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR7546

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.9mΩ
  • Id: 71A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

MMBF4416

MMBF4416

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-30 V
Maximum Drain Gate Voltage:30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管