N沟道场效应管

IRLR8256

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.7mΩ
  • Id: 81A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-10 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH7185

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.2mΩ
  • Id: 123A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-10 Tag标签:N沟道场效应管

IRL2910S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 26.0mΩ
  • Id: 55A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-10 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB4212

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 72.5mΩ
  • Id: 18A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-10 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB3004

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.75mΩ
  • Id: 340A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-10 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7807VD1

IRF7807VD1

电气特性 Features

  • 集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
N沟道场效应管 更新于 2026-03-10 Tag标签:N沟道场效应管

IRLU3103

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 19mΩ
  • Id: 29A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-10 Tag标签:N沟道场效应管

IRFSL3806

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 15.8mΩ
  • Id: 43A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-10 Tag标签:N沟道场效应管

IRFIZ24N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 70.0mΩ
  • Id: 13A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-10 Tag标签:N沟道场效应管

IRLML0100TRPBF-1

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 220.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-03-10 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP4310Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.0mΩ
  • Id: 134A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-10 Tag标签:N沟道场效应管

IRFBA1405P

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.0mΩ
  • Id: 174A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-10 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB7734

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.5mΩ
  • Id: 183A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-10 Tag标签:N沟道场效应管

2SK3666-4-TB-E

2SK3666-4-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:10 mA
Maximum Gate Source Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-03-10 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH7107

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.5mΩ
  • Id: 75A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-10 Tag标签:N沟道场效应管