N沟道场效应管

IRF520N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 200.0mΩ
  • Id: 9.7A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7483M

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.3mΩ
  • Id: 135A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRFZ44V

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 16.5mΩ
  • Id: 55A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRL3713

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.0mΩ
  • Id: 200A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB3307Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.8mΩ
  • Id: 128A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRL7486M

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.25mΩ
  • Id: 209A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRFSL7537

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.3mΩ
  • Id: 173A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRFZ46ZS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 13.6mΩ
  • Id: 51A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRLML2803

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 250.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

BFT46,215

BFT46,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Continuous Drain Current:10 mA
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:25 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3717

IRF3717

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.4mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-55143-BLKG

ATF-55143-BLKG

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5 V
Maximum Continuous Drain Current:100 mA
Maximum Gate Source Voltage:1 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 to 1 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

BF861A,215

BF861A,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Gate Source Voltage:25 V
Maximum Drain Gate Voltage:25 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRFIZ24N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 70.0mΩ
  • Id: 13A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-54143-TR1G

ATF-54143-TR1G

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5 V
Maximum Continuous Drain Current:120 mA
Maximum Gate Source Voltage:1 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 to 1 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管