N沟道场效应管

IRF2804

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.3mΩ
  • Id: 280A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRLHS6342

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 12V
  • Id: 19A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRFZ48VS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 12.0mΩ
  • Id: 72A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRFL4315

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 185.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRL2203NS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 7.0mΩ
  • Id: 116A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

PMBF4393,215

PMBF4393,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:40 V
Maximum Continuous Drain Current:30 mA
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

2SK3666-3-TB-E

2SK3666-3-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:10 mA
Maximum Gate Source Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3205Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.5mΩ
  • Id: 110A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRFU7540

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.8mΩ
  • Id: 110A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH8324

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.1mΩ
  • Id: 90A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRL2910S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 26.0mΩ
  • Id: 55A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR3709Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.5mΩ
  • Id: 86A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

J109

J109

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

MMBFJ201

MMBFJ201

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH8330

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.6mΩ
  • Id: 56A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管