N沟道场效应管

IRFH4210

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.1mΩ
  • Id: 100A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS3006-7P

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.1mΩ
  • Id: 293A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH7936

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.8mΩ
  • Id: 76A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-35143-TR2G

ATF-35143-TR2G

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5.5 V
Maximum Continuous Drain Current:80 mA
Maximum Gate Source Voltage:-5 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 V
Operating Temperature:-65 to 160 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

BF545B,215

BF545B,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:15 mA
Maximum Gate Source Voltage:-30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6717M

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.25mΩ
  • Id: 220A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7842

IRF7842

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3710Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 18.0mΩ
  • Id: 59A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

MMBF4118

MMBF4118

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7769L1

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.5mΩ
  • Id: 124A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB7430

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.3mΩ
  • Id: 409A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR3518

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 80V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 29.0mΩ
  • Id: 38A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRFTS8342

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 19.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRF2807

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 13.0mΩ
  • Id: 82A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

PMBFJ113,215

PMBFJ113,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:40 V
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:-40 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管