N沟道场效应管

CLF1G0035S-50,112

CLF1G0035S-50,112

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:150(Min) V
Maximum Gate Source Voltage:3 V
Operating Temperature:-65 to 250 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS3306

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.2mΩ
  • Id: 160A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB7545

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.9mΩ
  • Id: 95A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP4668

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 9.7mΩ
  • Id: 130A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRFI1010N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 12.0mΩ
  • Id: 44A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3709S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.0mΩ
  • Id: 90A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP048N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 16.0mΩ
  • Id: 62A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR1205

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 27.0mΩ
  • Id: 37A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRFU7546

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.9mΩ
  • Id: 71A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRFZ46N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 16.5mΩ
  • Id: 46A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3703

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.8mΩ
  • Id: 210A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

CLF1G0035-50,112

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:150 V
Maximum Gate Source Voltage:3 V
Operating Temperature:-65 to 250 ℃
Mounting:Screw
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS4229

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 250V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 48mΩ
  • Id: 45A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

J113

J113

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-35 V
Maximum Drain Gate Voltage:35 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

MX2N4856

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:40 V
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-65 to 200 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管