N沟道场效应管

IRFZ44ES

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 23.0mΩ
  • Id: 48A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-541M4-TR1

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5 V
Maximum Continuous Drain Current:120 mA
Maximum Gate Source Voltage:1 V
Maximum Drain Gate Voltage:5 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRF540NL

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 44.0mΩ
  • Id: 33A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB7730

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.6mΩ
  • Id: 246A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRLML0100

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 220.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRFSL7534

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.4mΩ
  • Id: 195A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRL7486M

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.25mΩ
  • Id: 209A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR024N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 75.0mΩ
  • Id: 16A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS7430-7P

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 0.75mΩ
  • Id: 522A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS4310

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.0mΩ
  • Id: 140A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

BSR57

BSR57

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRFZ44V

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 16.5mΩ
  • Id: 55A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRL3705ZS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 8.0mΩ
  • Id: 86A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH5406

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 14.4mΩ
  • Id: 40A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管

2SK932-22-TB-E

2SK932-22-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:15 V
Maximum Continuous Drain Current:50 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-15 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-23 Tag标签:N沟道场效应管