N沟道场效应管

IRF1405S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.3mΩ
  • Id: 131A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

BF545B,215

BF545B,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:15 mA
Maximum Gate Source Voltage:-30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

CLF1G0060-30U

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:150(Min) V
Maximum Gate Source Voltage:3 V
Operating Temperature:-65 to 250 ℃
Mounting:Screw
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

MMBFJ112

MMBFJ112

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-35 V
Maximum Drain Gate Voltage:35 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRLS3036-7P

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 1.9mΩ
  • Id: 300A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

MMBFJ108

MMBFJ108

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRL8113

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.0mΩ
  • Id: 105A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP7430

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.3mΩ
  • Id: 404A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH5301

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.85mΩ
  • Id: 100A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP4137

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 300V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 69.0mΩ
  • Id: 38A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRLML2803TRPBF-1

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 250.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

MMBF4393LT1G

MMBF4393LT1G

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRFPS3815

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 15.0mΩ
  • Id: 105A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6644

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 13.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH5220

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 99.9mΩ
  • Id: 20A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管