N沟道场效应管

IRF630NS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 300.0mΩ
  • Id: 9.5A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-19 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-331M4-TR2

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5.5 V
Maximum Continuous Drain Current:305 mA
Maximum Gate Source Voltage:-5 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 V
Operating Temperature:-65 to 160 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-19 Tag标签:N沟道场效应管

IRF8010

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 15.0mΩ
  • Id: 80A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-19 Tag标签:N沟道场效应管

IRLR8726

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.8mΩ
  • Id: 86A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-19 Tag标签:N沟道场效应管

IRF2907ZS-7P

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.8mΩ
  • Id: 160A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-19 Tag标签:N沟道场效应管

IRFU7540

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.8mΩ
  • Id: 110A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-19 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP4227

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 25.0mΩ
  • Id: 65A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-19 Tag标签:N沟道场效应管

BSR56

BSR56

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-19 Tag标签:N沟道场效应管

IRFY240

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 180.0mΩ
  • Id: 10.2A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-19 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7769L1

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.5mΩ
  • Id: 124A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-19 Tag标签:N沟道场效应管

IRLML2803TRPBF-1

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 250.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-09-19 Tag标签:N沟道场效应管

IRFU4615

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 42mΩ
  • Id: 24A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-19 Tag标签:N沟道场效应管

IRF1010ZS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.5mΩ
  • Id: 94A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-19 Tag标签:N沟道场效应管

5HN01C-TB-E

5HN01C-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:50 V
Maximum Continuous Drain Current:100 mA
Maximum Gate Source Voltage:±20 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-19 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH7107

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.5mΩ
  • Id: 75A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-19 Tag标签:N沟道场效应管