N沟道场效应管

IRFR3411

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 44.0mΩ
  • Id: 32A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRLR3717

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.2mΩ
  • Id: 120A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

2SK208-Y(TE85R,F)

2SK208-Y(TE85R,F)

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Continuous Drain Current:3 mA
Maximum Drain Gate Voltage:50 V
Operating Temperature:-55 to 125 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRF520NS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 200.0mΩ
  • Id: 9.5A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRL3103S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 12.0mΩ
  • Id: 64A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH5007

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.9mΩ
  • Id: 100A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRFIZ48N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 16.0mΩ
  • Id: 36A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3415S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 42.0mΩ
  • Id: 43A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRF540N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 44.0mΩ
  • Id: 33A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

CLF1G0035S-100PU

电气特性 Features

Configuration:Dual Common Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:150(Min) V
Maximum Gate Source Voltage:3 V
Operating Temperature:-65 to 250 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRLR3705Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 8.0mΩ
  • Id: 89A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRFSL7434

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.6mΩ
  • Id: 320A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6623

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.7mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6728M

电气特性 Features

  • 集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.5mΩ
  • Id: 140A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRFZ48ZS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 11.0mΩ
  • Id: 61A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管