N沟道场效应管

BF510,215

BF510,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:20 V
Maximum Continuous Drain Current:30 mA
Maximum Drain Gate Voltage:20 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-06-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRFY240

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 180.0mΩ
  • Id: 10.2A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7739L2

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.0mΩ
  • Id: 270A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH8202

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.05mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-06-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3709ZCS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.3mΩ
  • Id: 87A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRL1404ZS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 3.1mΩ
  • Id: 200A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRF2903Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.4mΩ
  • Id: 260A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-08 Tag标签:N沟道场效应管

CLF1G0060-30U

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:150(Min) V
Maximum Gate Source Voltage:3 V
Operating Temperature:-65 to 250 ℃
Mounting:Screw
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-06-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6637

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.7mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-06-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6715M

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.6mΩ
  • Id: 180A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-08 Tag标签:N沟道场效应管

3SK264-5-TG-E

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Gate
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:15 V
Maximum Continuous Drain Current:30 mA
Maximum Gate Source Voltage:8 V
Operating Temperature:-55 to 125 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-06-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH5304

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.5mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-06-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRF9410

IRF9410

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 30.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-06-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRLML0100TRPBF-1

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 220.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-06-08 Tag标签:N沟道场效应管

2SK208-R(TE85L,F)

2SK208-R(TE85L,F)

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Continuous Drain Current:0.75 mA
Maximum Drain Gate Voltage:50 V
Operating Temperature:-55 to 125 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-06-08 Tag标签:N沟道场效应管