N沟道场效应管

IRF7749L1

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.5mΩ
  • Id: 200A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRFU48Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 11mΩ
  • Id: 44A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRF8714

IRF8714

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.7mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-12-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH7185

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.2mΩ
  • Id: 123A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3710

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 23.0mΩ
  • Id: 57A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-25 Tag标签:N沟道场效应管

MMBF5459

MMBF5459

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-25 Tag标签:N沟道场效应管

2SK3796-3-TL-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:10 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-25 Tag标签:N沟道场效应管

BF513,215

BF513,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:20 V
Maximum Continuous Drain Current:30 mA
Maximum Drain Gate Voltage:20 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6795M

电气特性 Features

  • 集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.8mΩ
  • Id: 160A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRF1010NS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 11.0mΩ
  • Id: 84A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR1018E

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.4mΩ
  • Id: 79A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6633

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.6mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-12-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRFIZ24N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 70.0mΩ
  • Id: 13A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRLML6244

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 12V
N沟道场效应管 更新于 2025-12-25 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-38143-TR1G

ATF-38143-TR1G

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:4.5 V
Maximum Continuous Drain Current:145 mA
Maximum Gate Source Voltage:-4 V
Maximum Drain Gate Voltage:-4 V
Operating Temperature:-65 to 160 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-25 Tag标签:N沟道场效应管