N沟道场效应管

IRFZ48ZS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 11.0mΩ
  • Id: 61A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRF2804

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.3mΩ
  • Id: 280A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRF2204

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.6mΩ
  • Id: 210A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

2SK715W

2SK715W

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:15 V
Maximum Continuous Drain Current:50 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-15 V
Operating Temperature:-55 to 125 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH7936

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.8mΩ
  • Id: 76A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRLML6344

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 12V
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRLR3103

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 19.0mΩ
  • Id: 46A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR2905Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 14.5mΩ
  • Id: 59A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRFSL7787

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.4mΩ
  • Id: 76A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH7934

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.5mΩ
  • Id: 76A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB3207

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.5mΩ
  • Id: 180A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRLR3705Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 8.0mΩ
  • Id: 89A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH4234

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.6mΩ
  • Id: 60A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

2SK3557-7-TB-E

2SK3557-7-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:15 V
Maximum Continuous Drain Current:50 mA
Maximum Gate Source Voltage:-15 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB4410Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.0mΩ
  • Id: 97A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管