N沟道场效应管

IRF6728M

电气特性 Features

  • 集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.5mΩ
  • Id: 140A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-27 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP4768

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 250V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 17.5mΩ
  • Id: 93A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-27 Tag标签:N沟道场效应管

BSR57,215

BSR57,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:40 V
Maximum Continuous Drain Current:100 mA
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-27 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP4321

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 15.5mΩ
  • Id: 78A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-27 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH5006

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.1mΩ
  • Id: 100A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-27 Tag标签:N沟道场效应管

IRF540NL

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 44.0mΩ
  • Id: 33A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-27 Tag标签:N沟道场效应管

IRFU3910

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 115mΩ
  • Id: 9.5A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-27 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB3077

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.3mΩ
  • Id: 210A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-27 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH8337

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 12.8mΩ
  • Id: 35A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-27 Tag标签:N沟道场效应管

IRLS3036-7P

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 1.9mΩ
  • Id: 300A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-27 Tag标签:N沟道场效应管

BF545C,215

BF545C,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:25 mA
Maximum Gate Source Voltage:-30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-27 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS23N15D

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 90.0mΩ
  • Id: 23A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-27 Tag标签:N沟道场效应管

IRLR2905Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 13.5mΩ
  • Id: 60A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-27 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7769L1

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.5mΩ
  • Id: 124A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-27 Tag标签:N沟道场效应管

2SK3796-4-TL-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:10 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-27 Tag标签:N沟道场效应管