N沟道场效应管

IRLR2703

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 45.0mΩ
  • Id: 22A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-24 Tag标签:N沟道场效应管

BLF644PU

电气特性 Features

Configuration:Dual Common Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:65 V
Maximum Gate Source Voltage:11 V
Operating Temperature:-65 to 200 ℃
Mounting:Screw
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-24 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7739L1

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.0mΩ
  • Id: 270A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-24 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB7446

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.3mΩ
  • Id: 123A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-24 Tag标签:N沟道场效应管

J113

J113

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-35 V
Maximum Drain Gate Voltage:35 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-24 Tag标签:N沟道场效应管

2SK880-GR(TE85L,F)

2SK880-GR(TE85L,F)

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Continuous Drain Current:6.5 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-50 V
Operating Temperature:-55 to 125 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-24 Tag标签:N沟道场效应管

PMBFJ111,215

PMBFJ111,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:40 V
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:-40 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-24 Tag标签:N沟道场效应管

IRFZ48V

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 12.0mΩ
  • Id: 72A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-24 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6621

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.1mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-07-24 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH8321

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.9mΩ
  • Id: 83A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-24 Tag标签:N沟道场效应管

2N4392-E3

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:-40 V
Operating Temperature:-65 to 200 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-24 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS7734-7P

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.05mΩ
  • Id: 197A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-24 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7483M

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.3mΩ
  • Id: 135A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-24 Tag标签:N沟道场效应管

IRFIZ44N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 24.0mΩ
  • Id: 28A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-24 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3205L

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8mΩ
  • Id: 80A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-24 Tag标签:N沟道场效应管