N沟道场效应管

PMBFJ108,215

PMBFJ108,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:-25 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-20 Tag标签:N沟道场效应管

2N4393-E3

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:-40 V
Operating Temperature:-65 to 200 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-20 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP4137

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 300V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 69.0mΩ
  • Id: 38A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-20 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR7746

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 11.2mΩ
  • Id: 59A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-20 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7413Z

IRF7413Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 10.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-09-20 Tag标签:N沟道场效应管

3SK264-5-TG-E

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Gate
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:15 V
Maximum Continuous Drain Current:30 mA
Maximum Gate Source Voltage:8 V
Operating Temperature:-55 to 125 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-20 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH8316

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.95mΩ
  • Id: 120A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-20 Tag标签:N沟道场效应管

IRLSL3036

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 2.4mΩ
  • Id: 270A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-20 Tag标签:N沟道场效应管

BF256B

BF256B

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-30 V
Maximum Drain Gate Voltage:30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-20 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7488

IRF7488

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 80V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 29.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-09-20 Tag标签:N沟道场效应管

IRLR024N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 65.0mΩ
  • Id: 17A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-20 Tag标签:N沟道场效应管

IRL2703

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 40.0mΩ
  • Id: 24A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-20 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH4210

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.1mΩ
  • Id: 100A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-20 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB7545

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.9mΩ
  • Id: 95A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-20 Tag标签:N沟道场效应管

BSR58

BSR58

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-20 Tag标签:N沟道场效应管