N沟道场效应管

IRFB4227

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 26.0mΩ
  • Id: 65A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRLR7843

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.3mΩ
  • Id: 161A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7171M

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.5mΩ
  • Id: 93A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6643

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 34.5mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH5300

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.4mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

BSR58,215

BSR58,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:40 V
Maximum Continuous Drain Current:80 mA
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH5250

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.15mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRF540NL

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 44.0mΩ
  • Id: 33A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRLR2703

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 45.0mΩ
  • Id: 22A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH5010

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.0mΩ
  • Id: 100A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRF1010EZ

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.5mΩ
  • Id: 84A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-34143-BLKG

ATF-34143-BLKG

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5.5 V
Maximum Continuous Drain Current:145 mA
Maximum Gate Source Voltage:-5 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 V
Operating Temperature:-65 to 160 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH5006

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.1mΩ
  • Id: 100A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB3307Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.8mΩ
  • Id: 128A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

CPH3910-TL-E

CPH3910-TL-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Continuous Drain Current:50 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管