N沟道场效应管

MMBF4117

MMBF4117

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-03-12 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3205ZL

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.5mΩ
  • Id: 110A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-12 Tag标签:N沟道场效应管

IRFHM8330

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.6mΩ
  • Id: 55A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-12 Tag标签:N沟道场效应管

PMBF4391,215

PMBF4391,215

电气特性 Features

  • 场效应晶体管
  • Trans JFET N-CH 40V 150mA
N沟道场效应管 更新于 2026-03-12 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP4332

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 250V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 33.0mΩ
  • Id: 57A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-12 Tag标签:N沟道场效应管

PMBFJ310,215

PMBFJ310,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:-25 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-03-12 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3717

IRF3717

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.4mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-03-12 Tag标签:N沟道场效应管

IRLR3103

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 19.0mΩ
  • Id: 46A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-12 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB4510

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 13.5mΩ
  • Id: 62A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-12 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH8321

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.9mΩ
  • Id: 83A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-12 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH5015

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 31.0mΩ
  • Id: 56A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-12 Tag标签:N沟道场效应管

IRFZ44ZS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 13.9mΩ
  • Id: 51A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-12 Tag标签:N沟道场效应管

IRLL2705

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 40.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-03-12 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR812

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 500V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2200.0mΩ
  • Id: 3.6A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-12 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH5207

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.6mΩ
  • Id: 71A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-12 Tag标签:N沟道场效应管