N沟道场效应管

BFR30,215

BFR30,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Continuous Drain Current:10 mA
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:-25 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB7534

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.4mΩ
  • Id: 195A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRF8736

IRF8736

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.8mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-12-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRFU220N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 600mΩ
  • Id: 3.5A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-25 Tag标签:N沟道场效应管

PMBFJ308,215

PMBFJ308,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:-25 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRFSL4020

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 105.0mΩ
  • Id: 18A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH7107

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.5mΩ
  • Id: 75A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS4127

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 22.0mΩ
  • Id: 72A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRLU3915

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 14mΩ
  • Id: 43A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRLB8743

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.2mΩ
  • Id: 150A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRL8113

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.0mΩ
  • Id: 105A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB7787

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.4mΩ
  • Id: 76A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6668

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 80V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 15.0mΩ
  • Id: 55A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-25 Tag标签:N沟道场效应管

2SK209-GR(TE85L,F)

2SK209-GR(TE85L,F)

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Continuous Drain Current:6.5 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-50 V
Operating Temperature:-55 to 125 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-25 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-551M4-BLK

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5 V
Maximum Continuous Drain Current:100 mA
Maximum Gate Source Voltage:1 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 to 1 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-25 Tag标签:N沟道场效应管