N沟道场效应管

BF861B,215

BF861B,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Gate Source Voltage:25 V
Maximum Drain Gate Voltage:25 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH7932

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.3mΩ
  • Id: 104A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP3710

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 25.0mΩ
  • Id: 51A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRLZ24N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
  • Id: 18A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

2SK3666-3-TB-E

2SK3666-3-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:10 mA
Maximum Gate Source Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR13N20D

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 235.0mΩ
  • Id: 14A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRF8721

IRF8721

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.5mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

J107

J107

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRFSL7730

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.6mΩ
  • Id: 246A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP4310Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.0mΩ
  • Id: 134A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7580M

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.6mΩ
  • Id: 116A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6714M

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.1mΩ
  • Id: 166A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

BSR57,215

BSR57,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:40 V
Maximum Continuous Drain Current:100 mA
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS4610

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 14.0mΩ
  • Id: 73A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB7437

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.0mΩ
  • Id: 250A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管