N沟道场效应管

IRLB4030

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 4.3mΩ
  • Id: 180A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-19 Tag标签:N沟道场效应管

BSR57,215

BSR57,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:40 V
Maximum Continuous Drain Current:100 mA
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-19 Tag标签:N沟道场效应管

IRFHM830D

电气特性 Features

  • 集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.3mΩ
  • Id: 40A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-19 Tag标签:N沟道场效应管

IRFU7440

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.4mΩ
  • Id: 125A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-19 Tag标签:N沟道场效应管

IRFSL7540

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.1mΩ
  • Id: 110A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-19 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-55143-BLKG

ATF-55143-BLKG

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5 V
Maximum Continuous Drain Current:100 mA
Maximum Gate Source Voltage:1 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 to 1 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-19 Tag标签:N沟道场效应管

IRF640N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 150.0mΩ
  • Id: 18A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-19 Tag标签:N沟道场效应管

IRFZ44V

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 16.5mΩ
  • Id: 55A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-19 Tag标签:N沟道场效应管

IRFL4315

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 185.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-09-19 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7759L2

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.3mΩ
  • Id: 160A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-19 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6628

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.5mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-09-19 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6609

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-09-19 Tag标签:N沟道场效应管

IRFL4310

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 200.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-09-19 Tag标签:N沟道场效应管

MMBF4117

MMBF4117

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-19 Tag标签:N沟道场效应管

IRLU7843

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.3mΩ
  • Id: 113A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-19 Tag标签:N沟道场效应管