N沟道场效应管

IRF8010

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 15.0mΩ
  • Id: 80A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRL3705NS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 10.0mΩ
  • Id: 89A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7805PBF-1

IRF7805PBF-1

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 12V
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3709

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.0mΩ
  • Id: 90A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRFPS3810

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 9.0mΩ
  • Id: 141A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

MMBF5458

MMBF5458

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRLML6346

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 12V
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRLR2905

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 27.0mΩ
  • Id: 36A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

2N4393-2

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:-40 V
Operating Temperature:-65 to 200 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS3206

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.0mΩ
  • Id: 210A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

J105

J105

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

J310G

J310G

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Gate Source Voltage:25 V
Operating Temperature:-65 to 125 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRF1404

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.0mΩ
  • Id: 162A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRF2807Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.4mΩ
  • Id: 89A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-54143-TR2G

ATF-54143-TR2G

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5 V
Maximum Continuous Drain Current:120 mA
Maximum Gate Source Voltage:1 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 to 1 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管