N沟道场效应管

MMBF4416

MMBF4416

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-30 V
Maximum Drain Gate Voltage:30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-11-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB7446

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.3mΩ
  • Id: 123A
N沟道场效应管 更新于 2025-11-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB59N10D

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 25.0mΩ
  • Id: 59A
N沟道场效应管 更新于 2025-11-07 Tag标签:N沟道场效应管

PMBFJ108,215

PMBFJ108,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:-25 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-11-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR220N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 600.0mΩ
  • Id: 5A
N沟道场效应管 更新于 2025-11-07 Tag标签:N沟道场效应管

J111_D26Z

J111_D26Z

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-35 V
Maximum Drain Gate Voltage:35 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-11-07 Tag标签:N沟道场效应管

MMBFJ310

MMBFJ310

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-11-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRFSL3806

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 15.8mΩ
  • Id: 43A
N沟道场效应管 更新于 2025-11-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6621

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.1mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-11-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB4310

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.0mΩ
  • Id: 130A
N沟道场效应管 更新于 2025-11-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS3207

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.5mΩ
  • Id: 180A
N沟道场效应管 更新于 2025-11-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRFY044

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 40.0mΩ
  • Id: 16A
N沟道场效应管 更新于 2025-11-07 Tag标签:N沟道场效应管

MMBFJ201

MMBFJ201

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-11-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7413

IRF7413

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 11.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-11-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRLZ44ZS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 13.5mΩ
  • Id: 51A
N沟道场效应管 更新于 2025-11-07 Tag标签:N沟道场效应管