N沟道场效应管

IRFI530N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 110.0mΩ
  • Id: 11A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

MMBFU310LT1G

MMBFU310LT1G

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Gate Source Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3205

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.0mΩ
  • Id: 98A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRF2805

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.7mΩ
  • Id: 175A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

2N4392

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:-40 V
Operating Temperature:-65 to 200 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRF2807ZS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.4mΩ
  • Id: 89A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP3206

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.0mΩ
  • Id: 200A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6645

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 35.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

2SK545-11D-TB-E

2SK545-11D-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:40 V
Maximum Continuous Drain Current:1 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-40 V
Operating Temperature:-55 to 125 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

2SK3796-2-TL-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:10 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRF1010EZ

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.5mΩ
  • Id: 84A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH7188

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6mΩ
  • Id: 105A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

MX2N4856

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:40 V
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-65 to 200 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3315S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 82.0mΩ
  • Id: 21A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP250N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 75.0mΩ
  • Id: 30A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管