N沟道场效应管

IRLML2402TRPBF-1

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 12V
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRFSL3006

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.5mΩ
  • Id: 270A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRLS3036-7P

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 1.9mΩ
  • Id: 300A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP4868

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 300V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 32.0mΩ
  • Id: 70A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

MMBFJ310LT3G

MMBFJ310LT3G

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Gate Source Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRF1607

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.5mΩ
  • Id: 142A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3205Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.5mΩ
  • Id: 110A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS7437-7P

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.4mΩ
  • Id: 295A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

MMBF4392

MMBF4392

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-30 V
Maximum Drain Gate Voltage:30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRLML2060

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 480.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-38143-TR1G

ATF-38143-TR1G

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:4.5 V
Maximum Continuous Drain Current:145 mA
Maximum Gate Source Voltage:-4 V
Maximum Drain Gate Voltage:-4 V
Operating Temperature:-65 to 160 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRFU3607

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9mΩ
  • Id: 56A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRFBA1404P

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.7mΩ
  • Id: 206A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

IRFU220N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 600mΩ
  • Id: 3.5A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管

MMBFU310LT1G

MMBFU310LT1G

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Gate Source Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-23 Tag标签:N沟道场效应管