N沟道场效应管

IRF530NS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 90.0mΩ
  • Id: 17A
N沟道场效应管 更新于 2025-11-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRFU3806

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 15.8mΩ
  • Id: 31A
N沟道场效应管 更新于 2025-11-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH3702

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.1mΩ
  • Id: 42A
N沟道场效应管 更新于 2025-11-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3709

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.0mΩ
  • Id: 90A
N沟道场效应管 更新于 2025-11-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP2907

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.5mΩ
  • Id: 209A
N沟道场效应管 更新于 2025-11-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRLU120N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 185mΩ
  • Id: 6.9A
N沟道场效应管 更新于 2025-11-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRF540Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 26.5mΩ
  • Id: 36A
N沟道场效应管 更新于 2025-11-07 Tag标签:N沟道场效应管

2SK932-22-TB-E

2SK932-22-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:15 V
Maximum Continuous Drain Current:50 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-15 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-11-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS38N20D

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 54.0mΩ
  • Id: 44A
N沟道场效应管 更新于 2025-11-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP7537

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.3mΩ
  • Id: 172A
N沟道场效应管 更新于 2025-11-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3805S-7P

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.6mΩ
  • Id: 240A
N沟道场效应管 更新于 2025-11-07 Tag标签:N沟道场效应管

PMBFJ113,215

PMBFJ113,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:40 V
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:-40 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-11-07 Tag标签:N沟道场效应管

2N4119A-E3

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:-40 V
Operating Temperature:-55 to 175 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-11-07 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3315

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 70.0mΩ
  • Id: 21A
N沟道场效应管 更新于 2025-11-07 Tag标签:N沟道场效应管

PMBFJ310,215

PMBFJ310,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:-25 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-11-07 Tag标签:N沟道场效应管