N沟道场效应管

IRLH5034

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 2.4mΩ
  • Id: 100A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

IRLH6224

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 12V
  • Id: 105A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

BF861B,215

BF861B,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Gate Source Voltage:25 V
Maximum Drain Gate Voltage:25 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

IRFHM4234

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.4mΩ
  • Id: 63A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

IRLU3705Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 8mΩ
  • Id: 63A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

2N4416A-E3

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-35 V
Maximum Drain Gate Voltage:-35 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR4510

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 13.9mΩ
  • Id: 63A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

2N4119A-E3

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:-40 V
Operating Temperature:-55 to 175 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

J109

J109

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH5106

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.6mΩ
  • Id: 100A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

IRFSL4310Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.0mΩ
  • Id: 127A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

2SK3557-6-TB-E

2SK3557-6-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:15 V
Maximum Continuous Drain Current:50 mA
Maximum Gate Source Voltage:-15 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

IRLI540N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 44.0mΩ
  • Id: 20A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6711S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.8mΩ
  • Id: 84A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7807VD1

IRF7807VD1

电气特性 Features

  • 集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
N沟道场效应管 更新于 2026-07-22 Tag标签:N沟道场效应管