N沟道场效应管

IRF640NL

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 150.0mΩ
  • Id: 18A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRFU7546

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.9mΩ
  • Id: 71A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRL540NS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 44.0mΩ
  • Id: 36A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH5053

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 18.0mΩ
  • Id: 46A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7201

IRF7201

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 30.0mΩ
  • Id: 7.0A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

2SK3557-6-TB-E

2SK3557-6-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:15 V
Maximum Continuous Drain Current:50 mA
Maximum Gate Source Voltage:-15 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRL1404

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.0mΩ
  • Id: 160A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRF2903ZS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.4mΩ
  • Id: 260A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

MMBF4392LT1G

MMBF4392LT1G

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRFU3410

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 39.0mΩ
  • Id: 31A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6712S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.9mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRFSL4010

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.7mΩ
  • Id: 180A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

MMBF4393LT1G

MMBF4393LT1G

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

BFR30,235

BFR30,235

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Continuous Drain Current:10 mA
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:-25 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP260N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 40.0mΩ
  • Id: 49A
N沟道场效应管 更新于 2026-07-25 Tag标签:N沟道场效应管