N沟道场效应管

2SK545-11D-TB-E

2SK545-11D-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:40 V
Maximum Continuous Drain Current:1 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-40 V
Operating Temperature:-55 to 125 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-24 Tag标签:N沟道场效应管

IRLSL3036

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 2.4mΩ
  • Id: 270A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-24 Tag标签:N沟道场效应管

IRFSL7734

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.5mΩ
  • Id: 183A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-24 Tag标签:N沟道场效应管

IRF1010EZS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.5mΩ
  • Id: 84A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-24 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6614

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.3mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-12-24 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS7537

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.3mΩ
  • Id: 173A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-24 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7831

IRF7831

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@10V: 3.6mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-12-24 Tag标签:N沟道场效应管

IRLR8721

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.4mΩ
  • Id: 65A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-24 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR4104

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.5mΩ
  • Id: 119A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-24 Tag标签:N沟道场效应管

BF512,235

BF512,235

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:20 V
Maximum Continuous Drain Current:30 mA
Maximum Drain Gate Voltage:20 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
N沟道场效应管 更新于 2025-12-24 Tag标签:N沟道场效应管

2N4392-E3

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:-40 V
Operating Temperature:-65 to 200 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-24 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB7545

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.9mΩ
  • Id: 95A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-24 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR1010Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.5mΩ
  • Id: 91A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-24 Tag标签:N沟道场效应管

2SK932-24-TB-E

2SK932-24-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:15 V
Maximum Continuous Drain Current:50 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-15 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-24 Tag标签:N沟道场效应管

IRFU2405

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 16mΩ
  • Id: 40A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-24 Tag标签:N沟道场效应管