N沟道场效应管

IRF3805S-7P

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.6mΩ
  • Id: 240A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-24 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7171M

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.5mΩ
  • Id: 93A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-24 Tag标签:N沟道场效应管

IRFSL3306

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.2mΩ
  • Id: 160A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-24 Tag标签:N沟道场效应管

2N4393-2

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:-40 V
Operating Temperature:-65 to 200 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-24 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS7440

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.5mΩ
  • Id: 208A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-24 Tag标签:N沟道场效应管

2N4416A-E3

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-35 V
Maximum Drain Gate Voltage:-35 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-24 Tag标签:N沟道场效应管

PMBFJ109,215

PMBFJ109,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:-25 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-24 Tag标签:N沟道场效应管

IRF8721

IRF8721

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.5mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-12-24 Tag标签:N沟道场效应管

IRFIZ34N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 40.0mΩ
  • Id: 19A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-24 Tag标签:N沟道场效应管

IRFI4321

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 16.0mΩ
  • Id: 34A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-24 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3704ZS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.9mΩ
  • Id: 67A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-24 Tag标签:N沟道场效应管

IRFU7746

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 11.2mΩ
  • Id: 42A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-24 Tag标签:N沟道场效应管

IRFZ46N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 16.5mΩ
  • Id: 46A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-24 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-54143-TR2G

ATF-54143-TR2G

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5 V
Maximum Continuous Drain Current:120 mA
Maximum Gate Source Voltage:1 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 to 1 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-24 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB4510

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 13.5mΩ
  • Id: 62A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-24 Tag标签:N沟道场效应管