N沟道场效应管

IRFH7084

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.25mΩ
  • Id: 265A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRLB3036

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 2.4mΩ
  • Id: 270A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

MMBFJ202

MMBFJ202

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

2SK3738-TL-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:40 V
Maximum Continuous Drain Current:1 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-40 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

BF545A,215

BF545A,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:6.5 mA
Maximum Gate Source Voltage:-30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS4510

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 13.9mΩ
  • Id: 61A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRLB8748

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.8mΩ
  • Id: 92A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH7932

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.3mΩ
  • Id: 104A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

MMBF4392

MMBF4392

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-30 V
Maximum Drain Gate Voltage:30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH4210D

电气特性 Features

  • 集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.1mΩ
  • Id: 266A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

PMBFJ112,215

PMBFJ112,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:40 V
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:-40 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7821PBF-1

IRF7821PBF-1

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.1mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH5010

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.0mΩ
  • Id: 100A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH5110

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 12.4mΩ
  • Id: 63A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管

IRF2805

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.7mΩ
  • Id: 175A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-18 Tag标签:N沟道场效应管