N沟道场效应管

IRFS23N15D

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 90.0mΩ
  • Id: 23A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-11 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7473

IRF7473

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 26.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-03-11 Tag标签:N沟道场效应管

IRFU3704Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.4mΩ
  • Id: 42A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-11 Tag标签:N沟道场效应管

IRL3705ZL

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 8.0mΩ
  • Id: 86A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-11 Tag标签:N沟道场效应管

BFR30,235

BFR30,235

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Continuous Drain Current:10 mA
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:-25 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
N沟道场效应管 更新于 2026-03-11 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-331M4-BLK

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5.5 V
Maximum Continuous Drain Current:305 mA
Maximum Gate Source Voltage:-5 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 V
Operating Temperature:-65 to 160 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-03-11 Tag标签:N沟道场效应管

2SK3796-3-TL-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:10 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-03-11 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH5306

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.1mΩ
  • Id: 45A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-11 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH5010

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.0mΩ
  • Id: 100A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-11 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH8325

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.0mΩ
  • Id: 82A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-11 Tag标签:N沟道场效应管

IRF4104

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.5mΩ
  • Id: 120A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-11 Tag标签:N沟道场效应管

2N5564-2

电气特性 Features

Configuration:Dual
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:-40 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-03-11 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS3107-7P

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.6mΩ
  • Id: 260A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-11 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH7787

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8mΩ
  • Id: 68A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-11 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH8318

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.1mΩ
  • Id: 120A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-11 Tag标签:N沟道场效应管