电气特性 Features
- 1N-1P双沟道MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on)@4.5V N-ch: 80.0mΩ
- RDS(on)@4.5V P-ch: 160.0mΩ
- RDS(on)@10V N-ch: 50.0mΩ
- RDS(on)@10V P-ch: 100.0mΩ
- Qg Typ N-ch: 16.7nC
- Qg Typ P-ch: 16.7nC
- Qgd Typ N-ch: 5.3nC
- Qgd Typ P-ch: 6.0nC
- Rth(JA): 90℃/W
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电气特性 Features
- 双N沟道MOS管,Vbrdss: 20V,Vgs(Max): 12V,RDS(on) Max@4.5V: 135mΩ,Rth(JA): 100℃/W
电气特性 Features
- 双P沟道MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs(Max): 20V,RDS(on) Max@4.5V: 32mΩ,Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管,Vbrdss: 100V,Vgs(Max): 20V,Rth(JA): 55℃/W
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管,Vbrdss: 20V,Vgs(Max): 12V,RDS(on) Max@4.5V: 30mΩ,Rth(JA): 62.5℃/W