N沟道场效应管

IRF7601

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 12V
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS4410

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 10.0mΩ
  • Id: 96A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRFU4510

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 13.9mΩ
  • Id: 45A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6619

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.2mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRFY130

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 180.0mΩ
  • Id: 9.1A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

2SK209-Y(TE85L,F)

2SK209-Y(TE85L,F)

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Continuous Drain Current:3 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-50 V
Operating Temperature:-55 to 125 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

2N4119A-E3

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:-40 V
Operating Temperature:-55 to 175 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB4229

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 250V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 46.0mΩ
  • Id: 46A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP4868

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 300V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 32.0mΩ
  • Id: 70A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRF1010ZS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.5mΩ
  • Id: 94A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

BSR56,215

BSR56,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:40 V
Maximum Continuous Drain Current:50 mA
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRFSL3006

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.5mΩ
  • Id: 270A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

2SK3666-2-TB-E

2SK3666-2-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:10 mA
Maximum Gate Source Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRFSL7530

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.0mΩ
  • Id: 295A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRLU3636

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 6.8mΩ
  • Id: 70A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-17 Tag标签:N沟道场效应管