N沟道场效应管

IRFB4332

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 250V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 33.0mΩ
  • Id: 60A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-06 Tag标签:N沟道场效应管

IRF540NL

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 44.0mΩ
  • Id: 33A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-06 Tag标签:N沟道场效应管

BFR31,235

BFR31,235

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Continuous Drain Current:10 mA
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:-25 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
N沟道场效应管 更新于 2026-03-06 Tag标签:N沟道场效应管

IRF8788PBF-1

IRF8788PBF-1

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.8mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-03-06 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6810S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 5.2mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-03-06 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS4510

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 13.9mΩ
  • Id: 61A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-06 Tag标签:N沟道场效应管

IRLB3034

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.7mΩ
  • Id: 343A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-06 Tag标签:N沟道场效应管

2SK3557-6-TB-E

2SK3557-6-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:15 V
Maximum Continuous Drain Current:50 mA
Maximum Gate Source Voltage:-15 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-03-06 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-331M4-TR1

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5.5 V
Maximum Continuous Drain Current:305 mA
Maximum Gate Source Voltage:-5 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 V
Operating Temperature:-65 to 160 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-03-06 Tag标签:N沟道场效应管

BF862,215

BF862,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:20 V
Maximum Continuous Drain Current:40 mA
Maximum Gate Source Voltage:-20 V
Maximum Drain Gate Voltage:20 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-03-06 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB3006

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.5mΩ
  • Id: 270A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-06 Tag标签:N沟道场效应管

MMBFJ108

MMBFJ108

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-03-06 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7809AVPBF-1

IRF7809AVPBF-1

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 12V
N沟道场效应管 更新于 2026-03-06 Tag标签:N沟道场效应管

IRLR3715Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 11.0mΩ
  • Id: 49A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-06 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7820

IRF7820

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 78.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-03-06 Tag标签:N沟道场效应管