N沟道场效应管

IRFR120N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 210.0mΩ
  • Id: 9.1A
N沟道场效应管 更新于 2025-11-06 Tag标签:N沟道场效应管

IRLL024N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 65.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-11-06 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR15N20D

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 165.0mΩ
  • Id: 17A
N沟道场效应管 更新于 2025-11-06 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7478PBF-1

IRF7478PBF-1

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 26.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-11-06 Tag标签:N沟道场效应管

IRF8304M

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.2mΩ
  • Id: 170A
N沟道场效应管 更新于 2025-11-06 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB7787

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.4mΩ
  • Id: 76A
N沟道场效应管 更新于 2025-11-06 Tag标签:N沟道场效应管

IRLU3410

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 105mΩ
  • Id: 9.5A
N沟道场效应管 更新于 2025-11-06 Tag标签:N沟道场效应管

IRLHM620

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 12V
  • Id: 40A
N沟道场效应管 更新于 2025-11-06 Tag标签:N沟道场效应管

MMBF4391

MMBF4391

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-30 V
Maximum Drain Gate Voltage:30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-11-06 Tag标签:N沟道场效应管

IRLU2905Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 13.5mΩ
  • Id: 43A
N沟道场效应管 更新于 2025-11-06 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH4209D

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.1mΩ
  • Id: 260A
N沟道场效应管 更新于 2025-11-06 Tag标签:N沟道场效应管

IJW120R070T1FKSA1

IJW120R070T1FKSA1

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:1200 V
Maximum Continuous Drain Current:0.035 mA
Maximum Gate Source Voltage:2 V
Operating Temperature:-55 to 175 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-11-06 Tag标签:N沟道场效应管

BFR30,215

BFR30,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Continuous Drain Current:10 mA
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:-25 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-11-06 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6619

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.2mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-11-06 Tag标签:N沟道场效应管

BFR30,235

BFR30,235

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Continuous Drain Current:10 mA
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:-25 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
N沟道场效应管 更新于 2025-11-06 Tag标签:N沟道场效应管