N沟道场效应管

IRF6618

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.2mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-06-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS3206

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.0mΩ
  • Id: 210A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7739L2

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.0mΩ
  • Id: 270A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-08 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-331M4-TR2

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5.5 V
Maximum Continuous Drain Current:305 mA
Maximum Gate Source Voltage:-5 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 V
Operating Temperature:-65 to 160 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-06-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRLZ24N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
  • Id: 18A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRF8301M

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.5mΩ
  • Id: 192A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6898M

电气特性 Features

  • 集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 1.1mΩ
  • Id: 213A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB5620

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 72.5mΩ
  • Id: 25A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-08 Tag标签:N沟道场效应管

MMBFJ310LT1G

MMBFJ310LT1G

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Gate Source Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-06-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB4127

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 20.0mΩ
  • Id: 76A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-08 Tag标签:N沟道场效应管

BF861B,215

BF861B,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Gate Source Voltage:25 V
Maximum Drain Gate Voltage:25 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-06-08 Tag标签:N沟道场效应管

J107

J107

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-06-08 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-551M4-TR2

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5 V
Maximum Continuous Drain Current:100 mA
Maximum Gate Source Voltage:1 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 to 1 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-06-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3205ZL

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.5mΩ
  • Id: 110A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRLL2705

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 40.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-06-08 Tag标签:N沟道场效应管