N沟道场效应管

IRFL024Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 57.5mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-09-19 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS4310

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.0mΩ
  • Id: 140A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-19 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7451

IRF7451

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 90.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-09-19 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR1018E

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.4mΩ
  • Id: 79A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-19 Tag标签:N沟道场效应管

IRFPS3815

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 15.0mΩ
  • Id: 105A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-19 Tag标签:N沟道场效应管

BSR56,215

BSR56,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:40 V
Maximum Continuous Drain Current:50 mA
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-19 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH7004

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.4mΩ
  • Id: 259A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-19 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR18N15D

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 125.0mΩ
  • Id: 18A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-19 Tag标签:N沟道场效应管

IRLZ34N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 35.0mΩ
  • Id: 27A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-19 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6714M

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.1mΩ
  • Id: 166A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-19 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB7430

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.3mΩ
  • Id: 409A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-19 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB3006

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.5mΩ
  • Id: 270A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-19 Tag标签:N沟道场效应管

IRL1004

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 6.5mΩ
  • Id: 130A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-19 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-55143-TR2G

ATF-55143-TR2G

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5 V
Maximum Continuous Drain Current:100 mA
Maximum Gate Source Voltage:1 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 to 1 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-09-19 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB7787

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.4mΩ
  • Id: 76A
N沟道场效应管 更新于 2025-09-19 Tag标签:N沟道场效应管