N沟道场效应管

IRF7769L1

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.5mΩ
  • Id: 124A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-26 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP4137

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 300V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 69.0mΩ
  • Id: 38A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-26 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB4229

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 250V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 46.0mΩ
  • Id: 46A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-26 Tag标签:N沟道场效应管

IRLR3110Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 14.0mΩ
  • Id: 63A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-26 Tag标签:N沟道场效应管

BF510,215

BF510,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:20 V
Maximum Continuous Drain Current:30 mA
Maximum Drain Gate Voltage:20 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-26 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR3607

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.0mΩ
  • Id: 80A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-26 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7488

IRF7488

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 80V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 29.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-12-26 Tag标签:N沟道场效应管

IRFSL4010

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.7mΩ
  • Id: 180A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-26 Tag标签:N沟道场效应管

IRF2805

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.7mΩ
  • Id: 175A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-26 Tag标签:N沟道场效应管

MMBFJ310LT1G

MMBFJ310LT1G

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Gate Source Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-26 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3305

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.0mΩ
  • Id: 140A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-26 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS7434-7P

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.0mΩ
  • Id: 362A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-26 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR812

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 500V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2200.0mΩ
  • Id: 3.6A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-26 Tag标签:N沟道场效应管

3SK264-5-TG-E

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Gate
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:15 V
Maximum Continuous Drain Current:30 mA
Maximum Gate Source Voltage:8 V
Operating Temperature:-55 to 125 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-26 Tag标签:N沟道场效应管

IRF1503S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.3mΩ
  • Id: 190A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-26 Tag标签:N沟道场效应管